力晶半導體投資25億臺幣興建研發測試中心
臺灣動態隨機存取存儲器(DRAM)大廠力晶半導體6月21日表示，該公司將斥資25億臺幣，興建整合集團研發團隊的研發測試中心以強化競爭力。
力晶在聲明稿中表示，這筆投資是為了第一期興建工程所需，預料最快將在明年第二季完成產能建置。新的研發測試中心將座落在新竹科學園區。
力晶與海外競爭對手均因2006年底以來芯片價格疲軟而陷入困境，當時部分個人電腦(PC)制造商對微軟的Vista作業系統效應過度樂觀，導致庫存水位高漲，PC存儲器芯片產業也出現供給過剩。
力晶在聲明稿中表示，這筆投資是為了第一期興建工程所需，預料最快將在明年第二季完成產能建置。新的研發測試中心將座落在新竹科學園區。
力晶與海外競爭對手均因2006年底以來芯片價格疲軟而陷入困境，當時部分個人電腦(PC)制造商對微軟的Vista作業系統效應過度樂觀，導致庫存水位高漲，PC存儲器芯片產業也出現供給過剩。
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