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打破“缺芯之痛” 存儲器芯片國產化布局加速

“未來30年,如果我們不解決芯片自己制造的問題,所謂的信息化時代會失去一個非常重要的依托和基礎。”中國科學院微電子研究所所長葉甜春16日在福建晉江舉行的國際集成電路產業(yè)發(fā)展高峰論壇上如是說。

據(jù)介紹,存儲器芯片是智能手機、平板電腦、可穿戴設備等各種智能終端產品不可或缺的關鍵器件。然而,我國一直是全球集成電路領域最大貿易逆差國,每年進口額超過兩千億美元,其中,存儲器芯片是國內集成電路產業(yè)鏈的主要短板,長期以來市場一直被海外巨頭牢牢把握。以動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和閃存(NANDFlash)兩種主要存儲芯片為例,今年第一季度,DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù),而閃存市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

大力發(fā)展存儲器不僅是市場需求,同時也是信息安全和產業(yè)安全的戰(zhàn)略需要。國家集成電路產業(yè)投資基金總裁丁文武在論壇上表示,應該把發(fā)展存儲器芯片作為國家戰(zhàn)略來實施。

據(jù)悉,為打破“缺芯之痛”,國內多地開始斥巨資布局存儲器芯片研發(fā)生產領域。目前,北京、武漢、晉江等地發(fā)展存儲器產業(yè)的積極性高漲,各種資金也加速向這一領域匯集。

當日,一期投資370億元的福建晉華存儲器集成電路生產線項目在福建晉江開工。該項目著力打造具有自主知識產權的世界級存儲器集成電路產業(yè)鏈,預計于2018年9月形成月產6萬片12寸晶圓的生產規(guī)模,項目建成后將填補我國主流存儲器集成電路產業(yè)空白。

在此之前,北京紫光集團旗下同方國芯宣布計劃定增800億元,投入存儲芯片工廠和上下游產業(yè)鏈布局;另外在武漢,今年3月下旬,總投資約1600億元人民幣的存儲器基地項目在東湖高新區(qū)正式啟動,計劃到2020年實現(xiàn)月產能30萬片晶圓的生產規(guī)模。以此測算,這三家企業(yè)在存儲器芯片方面的投資總額將超過2700億人民幣。

出席論壇的臺灣集邦科技研究協(xié)理郭祚榮在接受記者采訪時表示,目前海外企業(yè)在存儲器領域資本輸出放緩,產出也會相應減少,這為大陸企業(yè)帶來良好契機。未來五到十年內,大陸企業(yè)有機會與世界行業(yè)巨頭平起平坐。

充沛的資金支持和巨大的內需市場,以及業(yè)已形成的本土化集成電路產業(yè)生態(tài),為國內企業(yè)進軍存儲器芯片領域提供了發(fā)展基礎。但不容忽視的是,存儲器芯片面臨高技術壁壘和激烈的全球化競爭,之前就有許多涉足存儲器芯片領域的廠商最后被迫退出市場的先例。

為此,葉甜春表示,國內企業(yè)在當前新形勢下發(fā)展存儲器產業(yè),不應只是簡單追趕,而要更加注重技術原創(chuàng)和市場創(chuàng)新;應做好長期準備,在資金上確保持續(xù)投入;另外,更為關鍵的是,要在立足自身市場特點的基礎上追求世界領先水平。


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