日前，由中國(guó)電子科技集團(tuán)第13研究所研制的MEMS加速度傳感器突破了高精度SOI工藝加工、圓片級(jí)可調(diào)阻尼封裝、低功耗ASIC專用集成電路等關(guān)鍵技術(shù)，在國(guó)際招標(biāo)項(xiàng)目中，一舉戰(zhàn)勝美國(guó)PCB公司和瑞士奇石樂(lè)等國(guó)際知名傳感器廠商。這是國(guó)產(chǎn)MEMS加速度傳感器首次在國(guó)際招標(biāo)中獲勝，標(biāo)志著中國(guó)電科MEMS加速度傳感器已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)產(chǎn)品水平。

　　MEMS加速度傳感器具備高精度、高分辨率(分辨率優(yōu)于10μg)、低噪聲(13所2.5μg，國(guó)外同類產(chǎn)品約5μg)、低功耗、低溫漂、抗過(guò)載和超小體積(體積是國(guó)外同類產(chǎn)品1/4)、重量小于1.2克(國(guó)外同類產(chǎn)品約10克)等技術(shù)特點(diǎn)，主要技術(shù)指標(biāo)全面超越國(guó)外同類產(chǎn)品。