上海，2013年7月23日 – 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。基于富士通半導體的GaN功率器件，用戶可以設計出體積更小，效率更高的電源組件，可廣泛的運用于ICT設備、工業設備和汽車電子等領域。

　　圖1. MB51T008A

　　MB51T008A具有許多優點，包括：1)導電阻13 mΩ，總柵極電荷為16 nC，使用相同的擊穿電壓，實現的品質因數(FOM)大約是基于硅的電源芯片產品的一半;2)使用WLCSP封裝，最小的寄生電感和高頻率操作;3) 專有的柵極設計，可實現默認關閉狀態，可進行常關操作。新產品是數據通信設備、工業產品和汽車電源中使用的DC-DC轉換器的高邊開關和底邊開關的理想選擇。此外，由于其支持電源電路中更高的開關頻率，電源產品可實現整體尺寸縮小和效率的提高。富士通半導體計劃于2013年7月起開始提供樣片，并于2014年開始批量生產。

　　除了提供150 V的耐壓值產品，富士通半導體還開發了耐壓為600 V 和 30 V的產品，從而有助于在更寬廣的產品領域提高電源效率。這些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世紀80年代來牽頭開發的HEMT (高電子遷移率晶體管)技術。富士通半導體在GaN領域擁有大量的專利技術和IP，可迅速將GaN功率器件產品推向市場。富士通半導體還計劃與客戶在各個行業建立合作伙伴關系，以進一步拓展業務。

　　富士通半導體于TECHNO- FRONTIER 2013展出MB51T008A和其它GaN產品。時間：2013年7月17-19日，地點：日本東京國際博覽中心。公司會提供性能有進一步提高的具有2.5KW輸出功率的電源原形產品和測試數據， 該產品的高頻PFC模塊和高頻DC-DC轉換器采用了600V耐壓的GaN功率器件。

　　關于富士通半導體(上海)有限公司

　　富士通半導體(上海)有限公司是富士通在中國的半導體業務總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連、廈門、西安、青島和武漢等地均設有分公司，負責統籌富士通在中國半導體的銷售、市場及現場技術支持服務。

　　富士通半導體(上海)有限公司的產品包括專用集成電路(ASIC)、單片機(MCU)、專用標準產品(ASSP)/片上系統(SoC)和系統存儲芯片，它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶，并應用于廣泛領域。在技術支持方面，分布于上海、香港及成都的IC設計中心和解決方案設計中心，通過與客戶、設計伙伴、研發資源及其他零部件供應商的溝通、協調，共同開發完整的解決方案，從而形成一個包括中國在內的完整的亞太地區設計、開發及技術支持網絡。欲了解更多信息，請訪問網站：http://cn.fujitsu.com/fss。

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